积体电路结构之制造方法

摘要

一种积体电路结构之制造方法，至少包括：提供一半导体基材，此半导体基材至少包括一上表面之；形成一开口从上表面延伸到半导体基材中；利用旋转涂布方式填充一前驱物至开口中；对前驱物进行一蒸汽固化，以形成一介电材料；于蒸汽固化后，对介电材料进行一化学机械研磨；以及于化学机械研磨后，对介电材料进行一蒸汽退火。

主权项

一种积体电路结构之制造方法，至少包括：提供一半导体基材，其中该半导体基材至少包括一上表面；形成一开口从该上表面延伸至该半导体基材中；利用一旋转涂布方式填充一前驱物至该开口中；对该前驱物进行一蒸汽固化，以形成一介电材料，其中进行该蒸汽固化时系利用具有一第一氢与氧组合分压之氢气与氧气；于该蒸汽固化后，对该介电材料进行一化学机械研磨；以及于该化学机械研磨之后，对该介电材料进行一蒸汽退火，其中进行该蒸汽退火时系利用具有一第二氢与氧组合分压之氢气与氧气，且该第一氢与氧组合分压大于该第二氢与氧组合分压。如申请专利范围第1项所述之积体电路结构之制造方法，其中该蒸汽固化系在一第一温度中进行，且该蒸汽退火系在低于该第一温度的一第二温度中进行。如申请专利范围第2项所述之积体电路结构之制造方法，其中该第一温度高于1000℃，且该第二温度低于700℃。如申请专利范围第1项所述之积体电路结构之制造方法，其中于该蒸汽固化后与该化学机械研磨前，位于该开口中的该介电材料的一第一部分具有一第一湿蚀刻率比值大于位在该开口上方的该介电材料的第二部分的一第二湿蚀刻率比值。如申请专利范围第4项所述之积体电路结构之制造方法，其中于该蒸汽退火后，该介电材料的该第一部分具有一湿蚀刻率比值低于2。如申请专利范围第1项所述之积体电路结构之制造方法，其中该前驱物至少包括全氢聚矽氮烷。一种积体电路结构之制造方法，至少包括：提供一半导体基材，该半导体基材至少包括一上表面；形成一开口从该上表面延伸至该半导体基材中；利用一旋转涂布方式填充一第一介电材料至开口中；在一第一温度中对该第一介电材料进行一蒸汽固化，以形成一第二介电材料；于该蒸汽固化后，对该第二介电材料进行一化学机械研磨；以及于该化学机械研磨后，在一第二温度中对该第二介电材料进行一蒸汽退火，其中该第二温度低于该第一温度，其中该蒸汽固化具有一第一氢与氧组合分压，该蒸汽退火具有一第二氢与氧组合分压，其中该第二氢与氧组合分压低于该第一氢与氧组合分压。如申请专利范围第7项所述之积体电路结构之制造方法，其中该第一温度高于1000℃，且该第二温度低于700℃。如申请专利范围第8项所述之积体电路结构之制造方法，其中该第一温度高于1000℃，且该第二温度低于600℃。如申请专利范围第7项所述之积体电路结构之制造方法，其中于该蒸汽固化后与该化学机械研磨前，位在该开口中之该第二介电材料的一第一部分具有一第一湿蚀刻率比值大于位在该开口上方的该第二介电材料的一第二部分的一第二湿蚀刻率比值。如申请专利范围第10项所述之积体电路结构之制造方法，其中于该蒸汽固化后与该化学机械研磨前，该第一湿蚀刻率比值大于2。如申请专利范围第10项所述之积体电路结构之制造方法，其中于该蒸汽退火后，该第一湿蚀刻率比值低于2。如申请专利范围第7项所述之积体电路结构之制造方法，其中该第一介电材料包含全氢聚矽氮烷。