| 发明名称 | 一种具有交叉光栅结构的发光二极管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种具有交叉光栅结构的发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括衬底（1），生长在衬底（1）上的具有第一光栅结构的介质薄膜层（2），与介质薄膜层（2）键合在一起的具有第二光栅结构的p型GaN外延层（3），生长在p型GaN外延层（3）上的InGaN多量子阱有源发光层（4）和生长在InGaN多量子阱有源发光层（4）上的n型GaN外延层（5），其中，第一光栅结构与第二光栅结构以0～90°之间的任一交叉角度键合在一起，构成交叉光栅结构。本发明有效提高发光二极管的出光效率，有利于进一步提高发光二级管的光提取效率和导热性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102709419A | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN201210169975.8 | 申请日期 | 2012.05.29 |
| 申请人 | 东南大学 | 发明人 | 张雄;郭浩;韩乐;崔一平 |
| 分类号 | H01L33/10(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/10(2010.01)I |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人 | 柏尚春 |
| 主权项 | 一种具有交叉光栅结构的发光二极管，其特征在于：该发光二极管包括衬底（1），生长在衬底（1）上的具有第一光栅结构的介质薄膜层（2），与介质薄膜层（2）键合在一起的具有第二光栅结构的p型GaN外延层（3），生长在p型GaN外延层（3）上的InGaN多量子阱有源发光层（4）和生长在InGaN多量子阱有源发光层（4）上的n型GaN外延层（5），其中，第一光栅结构与第二光栅结构以0～90°之间的任一交叉角度键合在一起，构成交叉光栅结构。 | ||
| 地址 | 210096 江苏省南京市四牌楼2号 | ||