| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置(130)，具备：被接合基板(100)；薄膜元件(80)，其形成于被接合基板(100)上；以及半导体元件(90)，其接合到被接合基板(100)上，是在半导体元件主体(50)的被接合基板(100)侧层叠多个基底层(51～54)而形成的，多个基底层(51～54)分别具有绝缘层和层叠于该绝缘层的电路图案，半导体元件(90)的薄膜元件(80)侧的端部以各基底层(51～54)的薄膜元件(80)侧的端部随着朝向被接合基板(100)侧而逐渐地突出的方式设成阶梯状，并且由树脂层(120)包覆，薄膜元件(80)和半导体元件主体(50)通过设于树脂层(120)上的连接配线(121a)而相互连接。 | ||
| 申请公布号 | CN102714138A | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN201080059547.9 | 申请日期 | 2010.12.02 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 富安一秀;高藤裕;福岛康守;多田宪史;松本晋 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/00(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人 | 权鲜枝 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具备：被接合基板；薄膜元件，其形成于上述被接合基板上；以及半导体元件，其接合到上述被接合基板上，是在半导体元件主体的上述被接合基板侧层叠多个基底层而形成的，上述多个基底层分别具有绝缘层和层叠于该绝缘层的电路图案，该各电路图案通过形成于该各绝缘层的接触孔而相互连接，上述半导体元件的上述薄膜元件侧的端部以上述各基底层的上述薄膜元件侧的端部随着朝向上述被接合基板侧而逐渐地突出的方式设成阶梯状，并且由树脂层包覆，上述薄膜元件和上述半导体元件主体通过设于上述树脂层上的连接配线而相互连接。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||