| 发明名称 | 电路基板、显示装置和电路基板的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供TFT的半导体层包括氧化物半导体且使用低电阻的铝配线的、可靠性优异的电路基板。本发明的电路基板是具有氧化物半导体层、源极配线和漏极配线的电路基板，上述源极配线和该漏极配线分别具有与该半导体层接触的部分，该源极配线的与该半导体层接触的部分和该漏极配线的与该半导体层接触的部分隔开间隔相对，并且该源极配线和该漏极配线通过将含有铝以外的金属的层和含有铝的层层叠而形成。 | ||
| 申请公布号 | CN102714221A | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN201080061861.0 | 申请日期 | 2010.10.25 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 原义仁;中田幸伸 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G09F9/30(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种电路基板，其特征在于：所述电路基板具有氧化物半导体层、源极配线和漏极配线，该源极配线和该漏极配线分别具有与该半导体层接触的部分，且该源极配线的与该半导体层接触的部分和该漏极配线的与该半导体层接触的部分隔开间隔相对，并且，该源极配线和该漏极配线通过将含有铝以外的金属的层和含有铝的层层叠而形成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||