发明名称 | 极低电阻膜及使其改性的方法或产生方法 | ||
摘要 | 通过将改性材料沉积到ELR膜的适当表面上以产生经改性的ELR膜可以改善超低电阻(“ELR”)膜的工作特性。在本发明的一些实施方案中,ELR膜可以是“c膜”的形式。这种工作特性可以包括在提高的温度在ELR状态中工作,携带额外的电荷,以改善的磁性工作,以改善的力学性能或其它改善的工作特性工作。在本发明的一些实施方式中,ELR材料是混合价态铜氧化物钙钛矿,例如但不限于YBCO。在本发明的一些实施方式中,改性材料是易于与氧结合的导电材料,例如但不限于铬。 | ||
申请公布号 | CN102714216A | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
申请号 | CN201080054808.8 | 申请日期 | 2010.10.02 |
申请人 | 阿姆巴托雷有限责任公司 | 发明人 | D·J·吉尔伯特;T·S·卡勒 |
分类号 | H01L29/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/66(2006.01)I |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 李跃龙 |
主权项 | 改善ELR膜的工作特性的方法,该ELR膜包含具有晶体结构的ELR材料,该方法包括:将改性材料成层到ELR膜的适当表面上以产生经改性的ELR膜,其中相对于没有改性材料的ELR膜的工作特性,经改性的ELR膜具有得到改善的工作特性。 | ||
地址 | 美国亚利桑那 |