一种基于纳米压印制备GaN基光子晶体LED的方法

摘要

本发明提出一种基于纳米压印制备GaN基光子晶体LED的方法，包括（1）在蓝宝石衬底上依次外延生长N-GaN层、多量子阱有源区和P-GaN层，形成GaN基LED外延结构片；（2）对纳米压印硬模板进行防粘处理；（3）制备具有与所述硬模板互补图案的软模板；（4）在外延结构片上分别蒸镀掩膜层和纳米压印紫外胶层；（5）紫外压印经蒸镀处理后的器件，脱模，形成具有光子晶体的图案片；（6）刻蚀所述图案片，进行后续处理即可制得光子晶体LED。本发明利用纳米压印紫外胶层和蒸镀掩膜层相结合作为掩膜，能够克服GaN外延片表面不平整而导致压印困难的问题，从而使光子晶体的有效孔深更大。

主权项

一种基于纳米压印制备GaN基光子晶体LED的方法，包括如下步骤：（1）在蓝宝石衬底上依次外延生长N‑GaN层、多量子阱有源区和P‑GaN层，形成GaN基LED外延结构片；（2）对纳米压印硬模板进行防粘处理；（3）利用热压印制备具有与所述硬模板互补图案的软模板；（4）在所述GaN基LED外延结构片上分别蒸镀掩膜层和纳米压印紫外胶层；（5）利用所制备的软模板紫外压印经蒸镀处理后的器件，脱模，形成具有光子晶体的图案片；（6）利用耦合等离子（ICP）或反应离子束（RIE）刻蚀所述图案片，将所述图案片进行后续处理即可制得光子晶体LED；其中，所述步骤（4）中，在蒸镀掩膜层前，先利用匀胶机在所述外延结构片表面匀一层紫外胶，并旋转使紫外胶在表面均匀铺开；蒸镀的所述掩膜层为SiO2层或Cr层。