等离子体处理方法和等离子体处理装置

摘要

本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。当在腔室内配置晶片，在腔室内形成等离子体生成空间，至少使晶片表面与该等离子体生成空间接触的状态下对晶片表面实施等离子体处理时，使等离子体生成空间与晶片的背面侧的至少外周部分接触而实施等离子体处理。

主权项

一种等离子体处理方法，其特征在于，包括：在处理容器内配置被处理体；在所述处理容器内形成等离子体生成空间；和在至少使被处理体的表面与该等离子体生成空间接触的状态下对被处理体的表面实施等离子体处理，将所述被处理体载置于设置在所属被处理容器的被处理体载置部，加热至规定温度后，在实施所述等离子体处理时，使等离子体生成空间与被处理体的背面侧的至少外周部分接触，所述被处理体载置部具有板和相对于该板可突出没入地设置的被处理体升降部件，在使所述被处理体升降部件从所述板突出规定距离的状态下，将被处理体载置在所述被处理体升降部件上，由此在板与被处理体之间形成规定距离的等离子体生成空间，形成等离子体生成空间与被处理体的背面侧的至少外周部分接触的状态。