具有底部源极的横向式扩散金属氧化物场效应晶体管的结构及其方法

摘要

本发明涉及一种底部源极的横向式扩散金属氧化物半导体(BS-LDMOS)器件。该器件包括一源极区域(160)，其横向的设置在漏极区域(125)的对面，该漏极区域靠近半导体衬底(105)的上表面，在该半导体衬底上的位于源极区域和漏极区域之间设有一栅极(140)。本BS-LDMOS器件更包括一组合式深井-沟道区域(115)，其位于半导体衬底(105)的一定深度处，并在整个本体区域(150)之下，且本体区域与靠近上表面的源极区域(160)相邻，其中组合式深井-沟道区域是作为一埋藏式源极-本体接触，用于电性连接本体区域(150)、源极区域(160)至作为源极电极的半导体衬底(105)的底部。一漂移区域(125)设置在靠近上表面的栅极(140)下方，且远离源极区域(160)，并延伸且环绕漏极区域(125)。

主权项

一种具有底部源极的横向式扩散金属氧化物半导体器件，包括一源极区域，其横向的设置在漏极区域的对面，该漏极区域靠近半导体衬底的上表面，在该半导体衬底上的位于源极区域和漏极区域之间设有一栅极，该栅极设置在位于源极区域与一漏极漂移区域之间的上表面的一栅极氧化层之上；其特征在于，所述的具有底部源极的横向式扩散金属氧化物半导体更包括：一组合式深井‑沟道区域，其位于半导体衬底的一深度处，横向延伸至漏极漂移区域下并延伸至整个本体区域之下，该本体区域与靠近上表面的源极区域相邻，且该本体区域在栅极氧化层下方的上表面形成一沟道，其中该组合式深井‑沟道区域为一埋藏式源极‑本体接触，电性连接该本体区域、源极区域至该作为源极电极的半导体衬底的底部。