| 发明名称 | 高密度氧化铌溅射靶材的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种高密度氧化铌溅射靶材的制备方法，原料为高纯度氧化铌粉末，其纯度大于99.99%。其制备过程按以下步骤完成：氧化铌粉末预处理；真空热压；靶材的机械加工。其中，真空热压的工艺条件为：在真空条件下，1150～1300℃保温，2～4h，保压压力10-12MPa。按本发明制备的氧化铌靶材，其密度达到4.50g/cm3以上。 | ||
| 申请公布号 | CN102659405A | 申请公布日期 | 2012.09.12 |
| 申请号 | CN201210099055.3 | 申请日期 | 2012.04.06 |
| 申请人 | 西北稀有金属材料研究院 | 发明人 | 扈百直;孙本双;刘孝宁;征卫星;马文卫 |
| 分类号 | C04B35/495(2006.01)I;C04B35/626(2006.01)I;C04B35/645(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/495(2006.01)I |
| 代理机构 | 宁夏专利服务中心 64100 | 代理人 | 叶学军 |
| 主权项 | 一种高密度氧化铌溅射靶材的制备方法，原料为高纯度氧化铌粉末，其纯度大于99.99%；其制备过程按以下步骤完成：A） 氧化铌粉末预处理；B) 真空热压；C) 靶材的机械加工。 | ||
| 地址 | 753000 宁夏回族自治区石嘴山市大武口冶金路119号 | ||