非易失性半导体存储器件及其制造方法

摘要

在例子实施例中，半导体衬底具有被多个沟槽分开的多个有源区。栅绝缘膜至少填充部分沟槽，以及在栅绝缘膜上形成导电栅膜。在例子实施例中，栅绝缘膜可以包括隧道绝缘膜、电荷存储膜以及阻挡绝缘膜。该例子实施例也可以包括场隔离膜，部分地填充半导体衬底的沟槽，以便有源区或衬底的上表面高于场隔离膜的上表面。

主权项

一种半导体存储器件，包括：半导体衬底，具有被所述半导体衬底中的多个沟槽分开的多个有源区；部分地填充沟槽的场隔离膜，以便使有源区的上表面高于场隔离膜的上表面；形成在所述半导体衬底和场隔离膜上的栅绝缘膜，以便至少部分栅绝缘膜填充未被场隔离膜填充的沟槽的剩余部分；以及在所述栅绝缘膜上形成的导电栅膜，其中所述导电栅膜的整体下表面高于所述有源区的上表面，以及其中所述沟槽中的栅绝缘膜的下表面与所述沟槽之上的导电栅膜之间的距离大于各有源区与各有源区之上的导电栅膜之间的距离。