| 发明名称 | 一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示器件 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示器件，涉及显示技术制造领域，相对现有mask工艺而言可减少mask工艺次数，降低制造成本，提高产品良品率，该方法包括，在基板上通过构图工艺形成栅极；在所述栅极和所述基板上形成栅绝缘层；通过构图工艺处理在所述栅绝缘层上形成半导体有源层、刻蚀阻挡层以及源/漏电极；其中，所述刻蚀阻挡层通过氧化处理得到；本发明实施例用于制造显示器件。 | ||
| 申请公布号 | CN102651322A | 申请公布日期 | 2012.08.29 |
| 申请号 | CN201210047937.5 | 申请日期 | 2012.02.27 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 曹占锋;张学辉 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：在基板上通过构图工艺形成栅极；在形成有所述栅极的基板上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上通过构图工艺形成氧化物半导体有源层、刻蚀阻挡层以及源/漏电极；其中，所述刻蚀阻挡层通过氧化处理得到。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||