基于In₂S₃网状纳米晶阵列与P3HT杂化薄膜的太阳能电池器件

摘要

一种基于In2S3网状纳米晶阵列与P3HT杂化薄膜的太阳能电池器件。它是在具有纳米金属铟表面的ITO玻璃上原位反应制得网格状硫化铟纳米晶阵列并与P3HT复合后组装的薄膜太阳能电池器件。制法是：把具有纳米金属铟表面的ITO基底材料、单质硫粉及无水乙醇溶剂共置于反应釜中，在140℃-180℃直接反应12或24小时，在ITO基底材料表面原位制得具有纳米网状结构的硫化铟纳米晶阵列薄膜，反应结束后，自然冷却至室温，最后产物依次用去离子水和无水乙醇清洗，在真空50℃下烘干；然后将制备的硫化铟薄膜在氩气保护下旋涂P3HT，最后蒸镀一层Al或Au电极，即组装成太阳能电池器件。本方法成本低，克服了物理气相沉积法、喷涂裂解法、热蒸发法等方法制备工艺复杂的缺点，环境友好。

主权项

一种基于In2S3网状纳米晶阵列的In2S3与P3HT杂化薄膜太阳能电池器件，其特征在于：该器件是在具有纳米金属铟表面的ITO基底材料上原位反应制得网格状硫化铟纳米晶阵列，并与P3HT复合后，蒸镀一层Al或Au电极组装的薄膜太阳能电池器件；所述的具有纳米金属铟表面的ITO基底材料是指表面镀了一层厚度为30～80纳米的金属铟薄膜的ITO导电玻璃；所述的原位反应制得网格状硫化铟纳米晶阵列，是把表面镀有纳米金属铟薄膜的ITO玻璃，单质硫粉，以及无水乙醇溶剂共置于聚四氟乙烯反应釜中，硫粉浓度为0.5～1.5克/升, 无水乙醇溶剂的量至反应釜容器75%的高度,在140℃‑180℃温度下直接反应12或24小时，在ITO玻璃表面原位制得具有网状纳米晶阵列的硫化铟薄膜，反应结束后，自然冷却至室温，最后产物依次用去离子水、无水乙醇清洗，在真空干燥箱中50℃下烘干。