| 发明名称 | 半导体存储器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体存储器件，包括：读取电路，所述读取电路被配置为在测试模式期间响应于读取使能信号和多个存储体地址而顺序地输出与要测试的所有存储体相对应的多个压缩数据；以及焊盘，所述焊盘被配置为将从读取电路顺序输出的压缩数据传送到半导体存储器件的外部。 | ||
| 申请公布号 | CN102651231A | 申请公布日期 | 2012.08.29 |
| 申请号 | CN201110116566.7 | 申请日期 | 2011.05.06 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 丘泳峻;金基镐 |
| 分类号 | G11C11/406(2006.01)I;G11C29/12(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/406(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;许伟群 |
| 主权项 | 一种半导体存储器件，包括：读取电路，所述读取电路被配置为在测试模式期间响应于读取使能信号和多个存储体地址而顺序地输出与要测试的所有存储体相对应的多个压缩数据；以及焊盘，所述焊盘被配置为将从所述读取电路顺序地输出的所述压缩数据传送到所述半导体存储器件的外部。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||