发明名称 半导体器件
摘要 一种半导体器件,其具有可以更可靠地防止像素间串扰的固态图像传感器。该器件包括:具有主表面的半导体衬底;第一导电类型杂质层,定位在所述衬底的主表面之上;光电换能器,包括在所述第一导电类型杂质层之上彼此接合的第一导电类型杂质区域和第二导电类型杂质区域;以及晶体管,配置包括光电换能器的单位像素并且电耦合到光电换能器。在平面图中,光电换能器周围的区域的至少一部分包含空气间隙并且还具有用于使一个光电换能器和与其相邻的另一个光电换能器彼此电绝缘的隔离绝缘层。隔离绝缘层抵靠在第一导电类型杂质层的顶表面上。
申请公布号 CN102651381A 申请公布日期 2012.08.29
申请号 CN201210048186.9 申请日期 2012.02.24
申请人 瑞萨电子株式会社 发明人 国清辰也
分类号 H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 王茂华
主权项 一种半导体器件,包括:具有主表面的半导体衬底;第一导电类型杂质层,定位在所述半导体衬底的所述主表面之上;光电换能器,包括第一导电类型杂质区域和第二导电类型杂质区域,所述第一导电类型杂质区域和所述第二导电类型杂质区域在所述第一导电类型杂质层之上彼此接合;以及晶体管,配置包括所述光电换能器的单位像素并且电耦合到所述光电换能器,其中,在平面图中,所述光电换能器周围的区域的至少一部分包含空气间隙并且具有用于使一个光电换能器和与所述一个光电换能器相邻的另一个光电换能器彼此电绝缘的隔离绝缘层,以及其中所述隔离绝缘层抵靠在所述第一导电类型杂质层的顶表面上。
地址 日本神奈川县