发明名称 |
掩膜版缺陷的判断方法及判断系统 |
摘要 |
一种掩膜版缺陷的判断方法,包括:提供具有图形的掩膜版及不同晶片,将所述掩膜版图形转移至所述不同晶片上;获取所述晶片的图形,判断晶片上是否具有缺陷及缺陷所在晶片上的位置;提供位置阈值,对出现在不同晶片上的缺陷的位置进行比较,若位于不同晶片上的缺陷的位置差小于所述位置阈值,则判断所述这些缺陷位于同一区域内;提供预定值,若同一区域内的缺陷所在晶片数量超过所述预定值,则判断所述掩膜版的相应位置上具有缺陷。本发明还提供一种掩膜版缺陷的判断系统,实现在线对掩膜版的缺陷进行判断的功能,及时判断出缺陷掩膜版,精确判断效果,提高判断效率。 |
申请公布号 |
CN102129164B |
申请公布日期 |
2012.08.22 |
申请号 |
CN201010022874.9 |
申请日期 |
2010.01.15 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
林光启;康栋;王永刚;张宇磊 |
分类号 |
G03F1/44(2012.01)I;H01L21/00(2006.01)I;G01N21/88(2006.01)I |
主分类号 |
G03F1/44(2012.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
李丽 |
主权项 |
一种掩膜版缺陷的判断方法,其特征在于,包括:提供具有图形的掩膜版及不同晶片,将所述掩膜版图形转移至所述不同晶片上;获取所述晶片的图形,判断晶片上是否具有缺陷及缺陷所在晶片上的位置;提供位置阈值,对出现在不同晶片上的缺陷的位置进行比较,若位于不同晶片上的缺陷的位置差小于所述位置阈值,则判断这些缺陷位于同一区域内,所述位置差的计算方法为欧几里得距离计算方法;提供预定值,统计位于同一区域内的缺陷所在晶片的数量,若超过所述预定值,则判断所述掩膜版的相应位置上具有缺陷。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |