发明名称 掩膜版缺陷的判断方法及判断系统
摘要 一种掩膜版缺陷的判断方法,包括:提供具有图形的掩膜版及不同晶片,将所述掩膜版图形转移至所述不同晶片上;获取所述晶片的图形,判断晶片上是否具有缺陷及缺陷所在晶片上的位置;提供位置阈值,对出现在不同晶片上的缺陷的位置进行比较,若位于不同晶片上的缺陷的位置差小于所述位置阈值,则判断所述这些缺陷位于同一区域内;提供预定值,若同一区域内的缺陷所在晶片数量超过所述预定值,则判断所述掩膜版的相应位置上具有缺陷。本发明还提供一种掩膜版缺陷的判断系统,实现在线对掩膜版的缺陷进行判断的功能,及时判断出缺陷掩膜版,精确判断效果,提高判断效率。
申请公布号 CN102129164B 申请公布日期 2012.08.22
申请号 CN201010022874.9 申请日期 2010.01.15
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 林光启;康栋;王永刚;张宇磊
分类号 G03F1/44(2012.01)I;H01L21/00(2006.01)I;G01N21/88(2006.01)I 主分类号 G03F1/44(2012.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 李丽
主权项 一种掩膜版缺陷的判断方法,其特征在于,包括:提供具有图形的掩膜版及不同晶片,将所述掩膜版图形转移至所述不同晶片上;获取所述晶片的图形,判断晶片上是否具有缺陷及缺陷所在晶片上的位置;提供位置阈值,对出现在不同晶片上的缺陷的位置进行比较,若位于不同晶片上的缺陷的位置差小于所述位置阈值,则判断这些缺陷位于同一区域内,所述位置差的计算方法为欧几里得距离计算方法;提供预定值,统计位于同一区域内的缺陷所在晶片的数量,若超过所述预定值,则判断所述掩膜版的相应位置上具有缺陷。
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
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