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发明名称
于多孔钻石介质材料中之孔的键结终端
摘要
此处说明一种具有低介电常数之多孔钻石介电材料及一种形成此种材料之方法。多孔钻石介电材料验证具有高机械强度,且因存在有孔隙而具有低介电常数。经由将孔隙内部表面之sp2型碳键结终端转成sp3型碳键结终端可更进一步降低介电常数。此项目的系经由多孔钻石介电材料之氢化而达成。
申请公布号
TWI371067
申请公布日期
2012.08.21
申请号
TW096117630
申请日期
2007.05.17
申请人
英特尔公司 美国
发明人
哈维堤 麦克G;拉维K V;项卡 萨德席文
分类号
H01L21/314
主分类号
H01L21/314
代理机构
代理人
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项
地址
美国
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