发明名称 CIRCUIT CONNECTION STRUCTURE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FOR CIRCUIT CONNECTION STRUCTURE
摘要 추가적인 표면 처리로 내열성 수지막에 화학적으로 안정한 관능기를 도입하여 접착성을 개선하고, 고온 고습시에 있어서도 내열성 수지막과 회로 접착 부재 사이에 뛰어난 접착성을 나타내는 회로 접속 구조체를 제공한다. 회로 접속 구조체(1A)에서는, 반도체 기판(2)과 회로 부재(3)가 이들의 사이에 협지되는 회로 접착 부재(4)에 의해서 접착되어 있다. 또한, 회로 접착 부재(4) 중의 도전성 입자(8)에 의해, 반도체 기판(2) 표면의 제1의 회로 전극(5)과 회로 부재(3)의 제2의 회로 전극(7)이 전기적으로 접속된다. 반도체 기판(2)은, 질소, 암모니아 등을 포함하는 가스를 사용하여, 플라즈마 처리에 의해 표면 개질 처리되어 있다. 따라서, 반도체 기판(2)의 내열성 수지막(5)과 회로 접착 부재(4)는, 고온 고습하에 있어서도 장기에 걸쳐 강고하게 접착되어 있다.
申请公布号 KR101174606(B1) 申请公布日期 2012.08.16
申请号 KR20087003289 申请日期 2006.08.22
申请人 发明人
分类号 H01L21/60 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人
主权项
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