一种厚膜混合集成电路孔金属化制造工艺

摘要

本发明涉及一种厚膜混合集成电路孔金属化制造工艺，在开孔的氧化铝基片上通过印刷机在其上表面印刷电路导线图案的导体浆料，然后用真空泵将表面的导体浆料抽取进入开孔内，再用红外线干燥炉进行烘干处理，最后将氧化铝基片置于烧结炉中进行烧结处理，重复上述步骤，在氧化铝基片的下表面印刷电路导线图案的导体浆料，经抽取、干燥、烧结处理，两个表面的导体浆料通过开孔重合，使上下表面的导体浆料连通。与现有技术相比，本发明得到产品的通孔导通率保持在99.9％以上，从而保证了整个厚膜电路技术水平和质量水平的提高。

主权项

一种厚膜混合集成电路孔金属化制造工艺，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)在开孔的氧化铝基片上通过印刷机在其上表面印刷电路导线图案的导体浆料，然后用真空泵将表面的导体浆料抽取进入开孔内，再用红外线干燥炉进行烘干处理，最后将氧化铝基片置于烧结炉中进行烧结处理；(2)重复上述步骤，在开孔的氧化铝基片的下表面印刷电路导线图案的导体浆料，用真空泵将导体浆料抽取进入开孔内，再经干燥、烧结处理，两个表面的导体浆料通过开孔重合，使上下表面的导体浆料连通。