发明名称 基底的处理装置及其方法
摘要 本发明提供一种在藉由供应光阻来执行涂覆制程前可将晶圆的温度维持在制程温度处之方法。根据本发明,在供应光阻前,将帮助光阻之扩散的稀释剂供应于晶圆上。以使得晶圆具有根据稀释剂之制程温度的受温度控制之状态供应稀释剂。
申请公布号 TWI370503 申请公布日期 2012.08.11
申请号 TW095135535 申请日期 2006.09.26
申请人 细美事有限公司 南韩 发明人 崔从洙;崔永权
分类号 H01L21/67;H01L21/00 主分类号 H01L21/67
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项
地址 南韩
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