抑制浪涌电压的半导体器件

摘要

在绝缘栅型双极晶体管开始从导通状态转移至非导通状态时，在绝缘栅型双极晶体管(IGBT1)的集电极与发射极之间，会产生与截断开关时流过线圈(L1)的电流(I1)时的电流变化率(dI/dt)的大小和变换器电路内部的电极布线电感成比例的浪涌电压。在绝缘栅型双极晶体管(IGBT1)关断的时间(关断时间)内使MOS晶体管(FET1)暂时导通。如果使MOS晶体管(FET1)暂时导通，则可使电流(I1)中的一部分电流被MOS晶体管(FET1)旁路。于是，由于表观上的电流(I1)的电流变化率(dI/dt)趋于缓和，故抑制了绝缘栅型双极晶体管(IGBT1)中产生的浪涌电压。

主权项

一种半导体器件，具备：半桥电路(10)，具有：第1半导体开关元件IGBT1，设置在第1电压(V1)与输出节点(N0)之间，响应于第1控制信号的输入而驱动；以及第2半导体开关元件IGBT2，与上述第1半导体开关元件串联连接在上述输出节点和比第1电压低的第2电压GND之间，响应于第2控制信号的输入而驱动；第1MOS晶体管(FET1)，与上述第1半导体开关元件相对应地设置，与上述第1半导体开关元件并联连接，接收第3控制信号的输入而导通或非导通；以及信号生成电路，检测在上述第1半导体开关元件响应于上述第1控制信号的输入而从导通状态移至非导通状态的期间中所产生的浪涌电压，当达到规定的浪涌电压时，生成上述第3控制信号，上述第1MOS晶体管(FET1)响应于上述第3控制信号的输入而暂时被设定为导通状态，上述信号生成电路包含：第1和第2电阻元件(R1、R2)，串联连接在上述第1电压与上述第2电压之间；稳压二极管(ZD1)，设置在由上述第1和第2电阻元件构成的串联电路与上述第1电压之间，其阴极侧与上述第1电压连接，阳极侧与上述串联电路连接；比较器(COMP)，将上述第1和第2电阻元件的连接节点处所生成的电压与基准电压进行比较；以及单触发脉冲信号生成电路(15)，根据上述比较器的比较结果，生成作为上述第3控制信号的单触发脉冲信号。