发明名称 配线的制作方法
摘要 经由旋转涂布来形成抗蚀的膜层时,存有浪费掉的抗蚀材料,依需求还要增加端面洗净的过程。另外,当用真空装置来将薄膜形成在基板上之际,必需有使真空室真空的特别装置或设备,造成成本提高。本发明的特征是具有:以CVD法、蒸镀法或溅射法选择性将导电层形成在具有绝缘表面的基板上之步骤、靠近前述导电层,吐出组成物来形成抗蚀遮罩之步骤、用前述抗蚀遮罩,在大气压或接近大气压下,以电浆产生手段来蚀刻前述导电层之步骤、在大气压或接近大气压下,以电浆产生手段来将前述抗蚀遮罩灰化之步骤。利用上述的特征使材料的使用效率提升而实现制造成本的降低。
申请公布号 TWI369738 申请公布日期 2012.08.01
申请号 TW093102424 申请日期 2004.02.03
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 日本 发明人 山崎舜平;桑原秀明
分类号 H01L21/3205;B05D3/04;H05K3/14 主分类号 H01L21/3205
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本