发明名称 |
画素结构及其制造方法 |
摘要 |
一种画素结构包括依序配置于一基板上之一闸极、一闸极介电层、一具有一位于闸极上方之通道区的图案化半导体层、一包括一位于闸极上方之蚀刻终止层及多个凸块的图案化介电层、一包括一反射画素电极及分别覆盖通道区部份区域的一源极与一汲极的图案化金属层、一平坦化介电层及一透明画素电极。反射画素电极连接汲极并覆盖这些凸块,以形成一凹凸表面。平坦化介电层配置于闸极、闸极介电层、图案化半导体层、源极与汲极所构成之一电晶体上,并具有一接触窗,以暴露出反射画素电极的部分区域。透明画素电极藉由接触窗与反射画素电极电性连接。 |
申请公布号 |
TWI369554 |
申请公布日期 |
2012.08.01 |
申请号 |
TW096150582 |
申请日期 |
2007.12.27 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 |
发明人 |
林祥麟;曹俊杰 |
分类号 |
G02F1/1343;H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/336 |
主分类号 |
G02F1/1343 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 |