P-LDMOS的制造方法

摘要

本发明公开了一种P-LDMOS的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成深N阱；在所述深N阱中形成隔离结构；在所述深N阱的漏极区域形成P阱，在所述深N阱的源极区域形成N阱；在所述深N阱上形成栅极；进行源漏轻掺杂工艺，在所述N阱和P阱内分别形成源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区；在所述栅极的侧壁形成栅极侧墙；进行源漏重掺杂以及退火工艺。本发明在漏极采用深N阱和P阱取代传统P-LDMOS中漂移区的光罩，而在源极采用深N阱中的N阱取代了传统体区中的光罩，在制程中减少了两个光罩，在满足器件耐压的前提下有效降低了LDMOS器件的制造成本。

主权项

一种P‑LDMOS的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成深N阱；在所述深N阱中形成隔离结构；在所述深N阱的漏极区域形成P阱，在所述深N阱的源极区域形成N阱；在所述深N阱上形成栅极；进行源漏轻掺杂工艺，在所述N阱和P阱内分别形成源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区；在所述栅极的侧壁形成栅极侧墙；进行源漏重掺杂以及退火工艺。