| 发明名称 | 氮化物系半导体激光器元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氮化物系半导体激光器元件，其具备基板和半导体元件层，该半导体元件层具有活性层且形成在基板的主表面上。半导体元件层包括：具有晶体生长面在沿[11-20]方向的方向上大致不具有偏倾角度的第一主表面的第一区域；和具有晶体生长面在沿[11-20]方向的方向上具有偏倾角度的第二主表面的第二区域。而且，在半导体元件层的第一区域上形成有脊部(3)。 | ||
| 申请公布号 | CN102623892A | 申请公布日期 | 2012.08.01 |
| 申请号 | CN201110421235.4 | 申请日期 | 2011.12.15 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社;三洋光学设计株式会社 | 发明人 | 久纳康光 |
| 分类号 | H01S5/323(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/323(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 雒运朴 |
| 主权项 | 一种氮化物系半导体激光器元件，其具备基板和半导体元件层，该半导体元件层在所述基板的主表面上形成且具有活性层，所述半导体元件层包括：具有晶体生长面在沿[11‑20]方向的方向上大致不具有偏倾角度的第一主表面的第一区域；和具有晶体生长面在沿[11‑20]方向的方向上具有偏倾角度的第二主表面的第二区域，在所述半导体元件层的所述第一区域形成有电流通路部。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||