发明名称 3D存储器装置解码及布线系统与方法
摘要 本发明揭示3D存储器装置,例如包含多个二维存储器单元层级(60、64)的那些3D存储器装置。每一层级可全部地或部分地形成于前一层级上方以形成具有两个或两个以上层级的存储器装置。每一层级可包含存储器单元串(78、70),其中所述串中的每一者耦合于源极选择栅极(82、74)与漏极选择栅极(72、84)之间以便使用所述源极/漏极选择栅极来解码每一层级。另外,所述装置可包含每一层级的字线解码器(86、88),所述字线解码器仅耦合到所述层级的字线。
申请公布号 CN102625948A 申请公布日期 2012.08.01
申请号 CN201080037944.6 申请日期 2010.08.13
申请人 美光科技公司 发明人 迈克尔·P·瓦奥莱特
分类号 G11C5/02(2006.01)I;G11C5/06(2006.01)I;H01L25/16(2006.01)I;G11C8/10(2006.01)I 主分类号 G11C5/02(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 宋献涛
主权项 一种存储器阵列,其包括:第一层级,其包括第一多个存储器单元、第一多个源极选择栅极及第一多个漏极选择栅极,其中所述第一层级的存储器单元串包括所述多个存储器单元中安置于所述多个源极选择栅极中的一者与所述多个选择漏极栅极中的一者之间的一者或一者以上;第二层级,其至少部分地形成于所述第一层级上方且包括第二多个存储器单元、第二多个源极选择栅极及第二多个漏极选择栅极,其中所述第二层级的存储器单元串中的每一者包括所述第二多个存储器单元中安置于所述第二多个源极选择栅极中的一者与所述第二多个漏极选择栅极中的一者之间的一者或一者以上;触点,其至少部分地延伸穿过所述第一层级及所述第二层级,所述触点将所述第一多个源极选择栅极耦合到所述第二多个源极选择栅极且耦合到共用源极线。
地址 美国爱达荷州