| 发明名称 | 半导体装置、制造半导体装置的方法和电子装置 | ||
| 摘要 | 公开了一种半导体装置、制造半导体装置的方法和电子装置。该半导体装置包括半导体元件和电子元件。半导体元件具有第一突出电极，并且电子元件具有第二突出电极。基底被布置在半导体元件与电子元件之间。基底具有通孔，第一和第二突出电极配合在通孔中。第一和第二突出电极在基底的通孔内连接到一起。 | ||
| 申请公布号 | CN102623440A | 申请公布日期 | 2012.08.01 |
| 申请号 | CN201110460504.8 | 申请日期 | 2011.12.31 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 赤松俊也 |
| 分类号 | H01L25/00(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 杜诚;李春晖 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：具有第一突出电极的第一半导体元件；具有第二突出电极的电子元件；以及布置在所述第一半导体元件与所述电子元件之间的基底，其中所述基底具有第一通孔，并且所述第一突出电极和所述第二突出电极在所述第一通孔内连接到一起。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||