| 发明名称 | 一种低功耗阻变存储器结构及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)技术领域。该阻变存储器包括衬底，在衬底上设有下电极，在下电极上设有第一阻变层，在第一阻变层上设有第二阻变层，在第二阻变层上设有电子电流阻挡层，在电子电流阻挡层上设有上电极，上电极和电子电流阻挡层导带之间的能带差低于1eV。本发明可以有效地抑制电子电流，同时又不会减弱引起阻变的离子电流，能有效地降低功耗。 | ||
| 申请公布号 | CN102593351A | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN201210019208.9 | 申请日期 | 2012.01.20 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 张丽杰;黄如;谭胜虎 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人 | 贾晓玲 |
| 主权项 | 一种阻变存储器，其特征在于，包括衬底，在衬底上设有下电极，在下电极上设有第一阻变层，在第一阻变层上设有第二阻变层，在第二阻变层上设有电子电流阻挡层，在电子电流阻挡层上设有上电极，上电极和电子电流阻挡层导带之间的能带差低于1eV。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||