发明名称 利用映像存储器降低备用功率
摘要 一种具有CMOS晶体管的集成电路,该CMOS晶体管加工成具有不同的栅氧化层厚度。具有较薄栅氧化层的晶体管可用于生成数据值,所述数据值可由具有较厚栅氧化层的晶体管存储。较厚的栅氧化层在系统备用状态下可减少栅极漏电流。
申请公布号 CN1653551B 申请公布日期 2012.07.11
申请号 CN03810284.6 申请日期 2003.03.11
申请人 英特尔公司 发明人 L·克拉克;F·里茨
分类号 G11C11/412(2006.01)I 主分类号 G11C11/412(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 杨凯;王勇
主权项 一种互补金属氧化物半导体CMOS电路,其包括:第一CMOS部件,用于接收输入信号和提供输出信号,其中,所述第一CMOS部件中的晶体管具有第一栅氧化层厚度;和第二CMOS部件,其与所述第一CMOS部件集成,所述第二CMOS部件中的晶体管具有不同于所述第一栅氧化层厚度的第二栅氧化层厚度,其中,所述第二CMOS部件接收和存储所述输出信号。
地址 美国加利福尼亚州