| 发明名称 | 一种大直径硅片制造工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种大直径硅片制造工艺，该工艺包括：(1)将倒角后的硅片用双面磨削机进行双面磨削，磨削砂轮使用2000#～3000#，去除量为20～100微米；(2)将硅片单面磨削，单面磨削只磨一面，或者磨完一面再磨另一面。磨一面的去除量为5～20微米，磨削砂轮使用5000#～8000#；(3)将硅片进行碱腐蚀，碱使用KOH，去除量为0.1～5微米；(4)将单面磨削片进行常规双面抛光，其去除量为10～30微米；(5)将硅片进行单面精抛和清洗。在双面磨削后或单面磨削后加入激光刻字工艺，(1)～(5)步工艺之后可以加入清洗干燥工艺。通过本工艺制造硅片，可以获得高平整度的硅片，同时可以大大提高硅片的加工效率，本发明是一种低损伤并且高精度的硅片制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102528597A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201010588498.X | 申请日期 | 2010.12.08 |
| 申请人 | 有研半导体材料股份有限公司 | 发明人 | 库黎明;闫志瑞;索思卓;鲁进军;葛钟;常青 |
| 分类号 | B24B7/22(2006.01)I;B24B29/02(2006.01)I | 主分类号 | B24B7/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人 | 郭佩兰 |
| 主权项 | 一种大直径硅片制造工艺，其特征在于：它包括以下的步骤：(1)将倒角后的硅片用双面磨削机进行双面磨削；(2)将硅片单面磨削；(3)将硅片进行碱KOH腐蚀；(4)将单面磨削片进行常规双面抛光；(5)将硅片进行单面精抛和清洗。 | ||
| 地址 | 100088 北京市新街口外大街2号 | ||