| 发明名称 | 半导体器件制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了半导体器件制作方法及氧化系统，以提高半导体器件产能，所述半导体器件包含氧化层，所述氧化层制作于设置有排气口的氧化装置内；该方法包括：在采用二氯乙烷对该氧化装置完成清洗后，关闭所述排气口；向该氧化装置通入净化气体，所述净化气体包含氧化气体；在所述氧化气体与残留于氧化装置中的二氯乙烷反应预定时间后，打开所述排气口；采用抽气装置从所述排气口抽取氧化装置内的残余物；以及在所述氧化装置内制作氧化层。 | ||
| 申请公布号 | CN101752245B | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN200810204360.8 | 申请日期 | 2008.12.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 李进喜;陆肇勇;范建国;陆文怡;丁敬秀;战玉讯 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种半导体器件制作方法，所述半导体器件包含氧化层，所述氧化层制作于设置有排气口的氧化装置内；其特征在于，包括：在采用二氯乙烷对该氧化装置完成清洗后，关闭所述排气口；向该氧化装置通入净化气体，所述净化气体包含氧化气体；在所述氧化气体与残留于氧化装置中的二氯乙烷反应预定时间后，打开所述排气口；采用抽气装置从所述排气口抽取氧化装置内的残余物；以及在所述氧化装置内制作氧化层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||