形成抗蚀剂下层膜的组合物和采用该形成抗蚀剂下层膜的组合物形成抗蚀剂图案的方法

摘要

本发明的目的在于提供用于形成干蚀刻速度的选择比大、且在诸如ArF准分子激光的短波长下的k值和折射率n显示期望值的抗蚀剂下层膜的组合物。该形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物包含线状聚合物和溶剂，所述线状聚合物的主链具有介由酯键和醚键引入了2，4-二羟基苯甲酸的单元结构。

主权项

1.一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，包含具有下述式(1)所表示的重复单元结构的线状聚合物和溶剂，式中，A₁、A₂、A₃、A₄、A₅和A₆各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，Q表示2个碳原子间的2价有机基团，并且Q以下述式(2)、下述式(3)或下述式(6)表示，n是单元结构的重复个数，表示10-10,000的整数，式中，Q₁表示碳原子数为1-10的亚烷基、具有碳原子数为3-10的脂环式烃基的2价有机基团、亚苯基、亚萘基或亚蒽基，所述亚苯基、亚萘基和亚蒽基各自独立地可以被选自碳原子数为1-6的烷基、卤原子、碳原子数为1-6的烷氧基、硝基、氰基和碳原子数为1-6的烷硫基中的至少一个基团取代，式中，X₁以下述式(4)或下述式(5)表示，式中，R₃和R₄各自独立地表示氢原子、碳原子数为1-6的烷基、碳原子数为3-6的链烯基、苄基或苯基，所述苯基可以被选自碳原子数为1-6的烷基、卤原子、碳原子数为1-6的烷氧基、硝基、氰基和碳原子数为1-6的烷硫基中的至少一个基团取代，或者R₃和R₄可以与它们结合的碳原子一起形成碳原子数为3-6的环，式中，R₅表示碳原子数为1-6的烷基、碳原子数为3-6的链烯基、苄基或苯基，所述苯基可以被选自碳原子数为1-6的烷基、卤原子、碳原子数为1-6的烷氧基、硝基、氰基和碳原子数为1-6的烷硫基中的至少一个基团取代。