电吸收调制器及光半导体装置

摘要

本发明提供一种电吸收调制器，其目的在于，提高具有AlGaInAs光吸收层的电吸收调制器的特性。在n型InP衬底（1）上，按顺序层叠有n型InP包覆层（2）、AlGaInAs光吸收层（4）、p型InGaAsP光波导层（6）、以及p型InP包覆层（7）。p型InGaAsP光波导层（6）具有组成不同的三个InGaAsP层（6a、6b、6c）。InGaAsP层（6a、6b、6c）的价电子带间的能量势垒与InGaAsP层为单层的情况相比，其能量势垒变小。

主权项

一种电吸收调制器，其特征在于，具备：半导体衬底；在所述半导体衬底上按顺序层叠的n型InP包覆层、AlGaInAs光吸收层、InGaAsP光波导层、以及p型InP包覆层，所述InGaAsP光波导层具有组成不同的多个InGaAsP层，所述多个InGaAsP层的价电子带间的能量势垒与InGaAsP层为单层的情况相比，其能量势垒变小。