CMP工艺缺陷检测方法和浅沟槽隔离的制作方法

摘要

本发明提供一种CMP工艺缺陷检测方法和浅沟槽隔离的制作方法，所述检测方法包括：提供基底，所述基底具有至少两个开口，所述开口之间具有半导体结构，所述半导体结构上具有研磨阻挡层；在所述开口内的基底表面和研磨阻挡层上覆盖介质层；进行CMP工艺去除所述研磨阻挡层之上的介质层，从而平坦化所述基底表面，然后去除所述研磨阻挡层；在开口内覆盖介质层之前或者去除研磨阻挡层之后，测量所述半导体结构的关键尺寸；检测CMP工艺后基底表面是否具有划痕缺陷，如果是，则判断所述半导体结构的关键尺寸是否大于预设值，如果是，确定所述划痕缺陷由标记刻蚀过程引入。通过上述检测方法，可以改善CMP工艺可靠性并提高产能。

主权项

一种CMP工艺缺陷检测方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底具有至少两个开口，所述开口之间具有半导体结构，所述半导体结构上具有研磨阻挡层；在所述开口内的基底表面和研磨阻挡层上覆盖介质层；进行CMP工艺去除所述研磨阻挡层之上的介质层，从而平坦化所述基底表面，然后去除所述研磨阻挡层；在开口内覆盖介质层之前或者去除研磨阻挡层之后，测量所述半导体结构的关键尺寸；检测CMP工艺后基底表面是否具有划痕缺陷，如果是，则进行下一步；判断所述半导体结构的关键尺寸是否大于预设值，如果是，确定所述划痕缺陷由标记刻蚀过程引入。