发明名称 | 半导体器件 | ||
摘要 | 本发明提供了一种半导体器件,包括:多个存储器单元,根据其阈值电压存储数据;多个位线,读取信号分别根据存储器单元存储的数据而出现在位线上;多个读出放大器,分别对应于位线布置,并且分别检测已出现在位线上的读取信号、并根据所检测的读取信号从第一和第二节点输出分别具有彼此不同逻辑电平的第一和第二信号;以及确定单元,根据分别从读出放大器的第一和第二节点接收的第一和第二信号来确定存储器单元的阈值电压是否正常。 | ||
申请公布号 | CN101149973B | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
申请号 | CN200710141904.6 | 申请日期 | 2007.08.16 |
申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 千田稔;濑户川润 |
分类号 | G11C16/26(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/26(2006.01)I |
代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华 |
主权项 | 一种半导体器件,包括:多个存储器单元,根据其阈值电压存储数据;多个位线,读取信号分别根据所述多个存储器单元存储的数据而出现在所述多个位线上;多个读出放大器,分别对应于所述多个位线而布置,并且所述多个读出放大器分别检测已出现在所述多个位线上的读取信号并根据所述检测的读取信号来从第一和第二节点输出分别具有彼此不同逻辑电平的第一和第二信号;以及确定单元,根据分别从所述多个读出放大器的所述第一和第二节点接受的第一和第二信号来确定所述多个存储器单元的阈值电压是否正常,其中所述确定单元包括:多个第一晶体管,分别对应于所述多个读出放大器布置,并且根据从所述多个读出放大器的所述第一节点接收的所述第一信号来分别将状态改变至导通或者截止;多个第二晶体管,分别对应于所述多个读出放大器布置,并且根据从所述多个读出放大器的所述第二节点接收的所述第二信号来分别将状态改变至导通或者截止;以及电流确定电路,检测所述多个第一晶体管的输出电流和所述多个第二晶体管的输出电流,并且根据所述检测结果来输出指示所述多个存储器单元的所述阈值是否正常的信号。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |