半导体器件及其制造方法

摘要

本发明披露一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：第一接面区域，其形成于竖直柱部的底部处；位线，其形成在第一接面区域的下方；绝缘膜，其形成在位线的下方。结果，能提供4F2尺寸的半导体器件并且位线构造成导电层和多晶硅层的层叠结构的形式，使得位线电阻降低。此外，半导体器件通过在导电层和多晶硅层之间形成硅化物来降低欧姆接触电阻，并且半导体器件包括位于半导体基板和位线之间的位置处的绝缘膜，从而使得位线电容降低。因此，增加了半导体器件的感测裕量，并且还增加了数据保存时间。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：蚀刻半导体基板以形成凹陷部；在所述凹陷部内在所述凹陷部的下部和侧壁上形成绝缘膜；在所述凹陷部内在所述绝缘膜上形成位线；以掩埋所述凹陷部的方式在所述半导体基板上形成硅层；通过在所述硅层的下部注入离子而在所述硅层的下部形成第一接面区域；以及通过蚀刻所述硅层、所述第一接面区域和所述半导体基板来形成柱部。