| 发明名称 | 具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法，该隧穿晶体管包括：具有第一掺杂类型的半导体衬底，所述半导体衬底为源区或漏区；位于所述半导体衬底上方的具有第二掺杂类型的垂直半导体柱，所述半导体柱为漏区或源区；形成在所述半导体衬底上的沟道区，其中，所述沟道区的下端部位于所述半导体衬底上，所述半导体柱形成在所述沟道区的下端部上，所述沟道区的上端部环绕所述半导体柱侧壁；和形成在所述沟道区的下端部上、环绕所述沟道区的上端部侧壁的栅结构。根据本发明实施例的隧穿晶体管可以提高TFET器件的集成度，以及改善TFET器件的驱动能力。 | ||
| 申请公布号 | CN102544105A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201210015369.0 | 申请日期 | 2012.01.17 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 崔宁;梁仁荣;王敬;许军 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 张大威 |
| 主权项 | 一种具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管，其特征在于，包括：具有第一掺杂类型的半导体衬底，所述半导体衬底为源区或漏区；位于所述半导体衬底上方的具有第二掺杂类型的垂直半导体柱，所述半导体柱为漏区或源区；形成在所述半导体衬底上的沟道区，其中，所述沟道区的下端部位于所述半导体衬底上，所述半导体柱形成在所述沟道区的下端部上，所述沟道区的上端部环绕所述半导体柱侧壁；和形成在所述沟道区的下端部上、环绕所述沟道区的上端部侧壁的栅结构。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区100084-82信箱 | ||