半导体激光二极管发光单元及器件

摘要

本发明公开了一种半导体激光二极管发光单元及器件。该发光单元输出激光的功率大于0.2W，其结构自下往上包括：第一限制层、第一波导层、量子阱层、第二波导层和第二限制层，其中：第一限制层和第二限制层，用于形成PN结进行载流子输入；第一波导层和第二波导层的厚度均介于400～600nm之间，用于形成激光传输的通路；量子阱层，用于作为有源区产生激光。本发明通过增加发光单元中波导层的厚度，能够有效地提高半导体激光二极管的COD阈值。

主权项

一种半导体激光二极管发光单元，其特征在于，该发光单元输出激光的功率大于0.2W，其结构自下往上包括：第一限制层、第一波导层、量子阱层、第二波导层和第二限制层，其中：所述第一限制层和第二限制层，用于形成PN结进行载流子输入，其中，所述第一限制层为N型限制层，所述第二限制层为P型限制层，所述N型限制层和所述P型限制层均为厚度介于1～2μm之间的Al0.55Ga0.45As；所述第一波导层和第二波导层，用于形成激光传输的通路，其中，所述第一波导层和第二波导层均为厚度介于400～600nm之间的Al0.35Ga0.65As；所述量子阱层，用于作为有源区产生激光，所述量子阱层为厚度介于5～50nm之间的AlGaInAs。