半导体装置之制造方法

摘要

一种半导体装置之制造方法，其系于一半导体基板形成一井区，然后形成一闸极氧化层于此半导体基板上和/或于此半导体基板之上方。接着，形成一闸极于此闸极氧化层之上和/或于此闸极氧化层之上方且于此闸极之下形成一容置空间(Pocket)。再对此半导体基板执行一第一瞬间退火(spike anneal)制程，之后再执行一离子布植制程于此半导体基板之源/汲极的深处。最后再对半导体基板执行一第二瞬间退火制程。