半导体装置

摘要

一半导体装置包括第一金属区域、导电中介窗、第二金属区域、开口以及第三金属区域。第一金属区域传导源/汲极电流。导电中介窗位于第一金属区域上，第二金属区域则透过导电中介窗电性连接第一金属区域以传导源/汲极电流，其中每两第二金属区域之间存在一间距。开口位于第二金属区域上，第三金属区域则藉由开口电性连接第二金属区域，其中第三金属区域之电阻值小于第二金属区域之电阻值以及第一金属区域之电阻值。