发明名称 升级冶金级硅材料提纯的过程控制
摘要 本发明提供一种用于UMG-Si提纯的过程控制方法,其执行熔化UMG-Si的定向固化以形成硅锭。所述锭被分割为多个块,并映射每个硅块的电阻率分布。基于电阻率映射,计算用于去除定向固化过程中浓缩和捕捉在锭中的杂质的剪切线。然后,通过沿着块的计算的剪切线剪切每个块,去除浓缩的杂质。
申请公布号 CN102498062A 申请公布日期 2012.06.13
申请号 CN201080018680.X 申请日期 2010.02.10
申请人 卡利太阳能有限公司 发明人 K·欧纳杰拉;M·瓦莱蕾西亚卡;A·儒伊尼;M·霍伊尔;O·西德克海尔;A·布洛斯;F·基施特
分类号 C01B33/02(2006.01)I 主分类号 C01B33/02(2006.01)I
代理机构 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人 程伟;孙向民
主权项 一种UMG‑Si提纯方法,所述方法包括以下步骤:执行熔化UMG‑Si的定向固化,以形成硅锭;将所述硅锭分割为多个块;映射所述多个块的每一个的电阻率分布;为所述多个块的每一个计算剪切线,以便基于所述电阻率映射去除浓缩的杂质;以及沿着所述剪切线剪切所述多个块的每一个。
地址 美国加利福尼亚州
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