发明名称 |
升级冶金级硅材料提纯的过程控制 |
摘要 |
本发明提供一种用于UMG-Si提纯的过程控制方法,其执行熔化UMG-Si的定向固化以形成硅锭。所述锭被分割为多个块,并映射每个硅块的电阻率分布。基于电阻率映射,计算用于去除定向固化过程中浓缩和捕捉在锭中的杂质的剪切线。然后,通过沿着块的计算的剪切线剪切每个块,去除浓缩的杂质。 |
申请公布号 |
CN102498062A |
申请公布日期 |
2012.06.13 |
申请号 |
CN201080018680.X |
申请日期 |
2010.02.10 |
申请人 |
卡利太阳能有限公司 |
发明人 |
K·欧纳杰拉;M·瓦莱蕾西亚卡;A·儒伊尼;M·霍伊尔;O·西德克海尔;A·布洛斯;F·基施特 |
分类号 |
C01B33/02(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京戈程知识产权代理有限公司 11314 |
代理人 |
程伟;孙向民 |
主权项 |
一种UMG‑Si提纯方法,所述方法包括以下步骤:执行熔化UMG‑Si的定向固化,以形成硅锭;将所述硅锭分割为多个块;映射所述多个块的每一个的电阻率分布;为所述多个块的每一个计算剪切线,以便基于所述电阻率映射去除浓缩的杂质;以及沿着所述剪切线剪切所述多个块的每一个。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |