发明名称 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
摘要 <p>본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 및 기판 처리 프로그램에 관한 것으로서, 스테이지(76)은 그 긴 방향(X방향)에 있어서 5개의 반입 영역(M), 천이 영역(M), 도포 영역(M), 천이 영역(M), 반출 영역(M)로 분할되고 있다. 도포 영역(M)는 정압의 분출구(88)과 부압의 흡인구(90)을 혼재시키고 있고, 기판(G)의 부상 고도(H)를 높은 정밀도로 설정값에 유지할 수 있다. 기판(G)는 이 도포 영역(M)를 통과할 때에 윗쪽의 레지스트 노즐(78)로부터 레지스트액(R)의 공급을 받는다. 레지스트 노즐(78)은 스테이지(76)상의 기판(G)를 일단으로부터 타단까지 커버 할 수 있는 길이로 Y방향으로 연장하는 장척 형상의 노즐 본체를 갖고, 도포 처리시에는 기판(G)의 반송 방향과 반대 방향으로 제 1의 위치로부터 제 2의 위치까지 이동한다.</p>
申请公布号 KR101154756(B1) 申请公布日期 2012.06.08
申请号 KR20060022159 申请日期 2006.03.09
申请人 发明人
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
主权项
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