发明名称 |
非易失性存储器件及其操作方法 |
摘要 |
一种非易失性存储器件可以包括标志单元阵列,其中每一个标志单元排列在存储单元阵列中,并散置在多个存储单元中。标志单元阵列可以包括指示对应行是否是MSB编程的多个标志单元。该非易失性存储器件根据行中的存储单元是否是MSB编程的,执行将存储单元中存储的数据读出的算法。当确定对应行是否是MSB编程时,可以用冗余标志单元替代异常操作的标志单元,或者可以排除异常操作的标志单元的数据。因此,可以改善数据读出的可靠性,并可以提高非易失性存储器的生产成品率。 |
申请公布号 |
CN101159165B |
申请公布日期 |
2012.06.06 |
申请号 |
CN200710004055.X |
申请日期 |
2007.01.23 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
黄相元 |
分类号 |
G11C16/02(2006.01)I;G11C16/20(2006.01)I;G11C16/08(2006.01)I;G11C29/24(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/02(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
戎志敏 |
主权项 |
一种非易失性存储器件,包括:存储单元阵列,具有排列成行和列的多个存储单元;以及标志单元阵列,具有多个标志单元,其中每一个标志单元排列在存储单元阵列中,并散置在所述多个存储单元中;给定行的所有标志单元和存储单元与相同的字线相连,给定列的所有单元与相同的位线相连,以及每一个标志单元与行相对应;页缓冲器,被配置成缓冲存储输入行或从行输出的数据;以及电路,被配置成确定所述行的最高有效位状态;所述电路包括:第一选择信号产生部分,被配置成根据各个标志单元是否正常操作,产生多个第一选择信号;第一选择电路,包括多个第一选择器,所述多个第一选择器被配置成接收对应标志单元的数据,并根据第一选择信号选择性地输出所述数据;以及确定部分,被配置成根据所述多个第一选择器的输出信号,确定所述行是否是最高有效位编程的。 |
地址 |
韩国京畿道 |