| 摘要 |
<p>양호한 표면 모폴로지를 갖는 질화갈륨계 반도체막을 포함하는 III족 질화물 반도체 소자를 제공한다. III족 질화물 반도체 광소자(11a)는, III족 질화물 반도체 지지체(13), GaN계 반도체 영역(15), 활성층(17) 및 GaN계 반도체 영역(19)을 구비한다. III족 질화물 반도체 지지체(13)의 주요면(13a)은 기준 축(Cx)에 직교하는 기준 평면(Sc)에 대하여 경사지며 비극성을 나타내고, 기준 축(Cx)은 III족 질화물 반도체의 c축 방향으로 연장된다. GaN계 반도체 영역(15)은 반극성 주요면(13a) 위에 형성된다. GaN계 반도체 영역(15)의 GaN계 반도체층(21)은 예컨대 n형 GaN계 반도체로 이루어지고, n형 GaN계 반도체에는 실리콘이 첨가된다. GaN계 반도체층(23)의 산소 농도가 5×10㎝이상일 때, GaN계 반도체층(23)의 주요면 위에서 계속해서 성장하는 활성층(17)의 결정 품질이 양호해진다.</p> |
