发明名称 半导体纳米晶体及其制备方法
摘要 半导体纳米晶体及其制备方法,其中所述半导体纳米晶体包括裸半导体纳米晶体和直接结合到所述裸半导体纳米晶体的水分子。
申请公布号 CN102482077A 申请公布日期 2012.05.30
申请号 CN201080039453.5 申请日期 2010.07.07
申请人 三星电子株式会社 发明人 张银珠;洪锡焕;田信爱;章效淑
分类号 B82B3/00(2006.01)I;B82B1/00(2006.01)I 主分类号 B82B3/00(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 金拟粲
主权项 半导体纳米晶体,包括:裸半导体纳米晶体,和直接结合到所述裸半导体纳米晶体的水分子。
地址 韩国京畿道