金属氧化物半导体型场效应管及其制造方法

摘要

本发明实施例公开了一种金属氧化物半导体型场效应管及其制造方法，效应管包括：衬底；阱区，位于所述衬底内；浅沟道层，位于阱区上，包括第一浅沟道区和第二浅沟道区；沟道，位于第一浅沟道区和第二浅沟道区之间的阱区上，并与浅沟道层位于同一层面；栅氧化层，位于第一浅沟道区和第二浅沟道区之间的阱区之上，并与浅沟道层和沟通位于同一层面，包括分别设置于沟道两侧的第一栅氧化区和第二栅氧化区；栅区，位于所述沟道和栅氧化层之上；位于栅区两侧的源区和漏区。本发明能够使金属氧化物半导体型场效应管的栅控效率更有效，并精确控制载流子的浓度，解决栅氧化层击穿电压降低的问题，从而得到更小尺寸的金属氧化物半导体型场效应管。

主权项

一种金属氧化物半导体型场效应管，其特征在于，包括：衬底；阱区，位于所述衬底内；浅沟道层，位于阱区上，包括第一浅沟道区和第二浅沟道区；沟道，位于第一浅沟道区和第二浅沟道区之间的阱区上，并与浅沟道层位于同一层面；栅氧化层，位于第一浅沟道区和第二浅沟道区之间的阱区之上，并与浅沟道层和沟道位于同一层面，包括分别设置于沟道两侧的第一栅氧化区和第二栅氧化区；栅区，位于所述沟道和栅氧化层之上；源区，形成于所述第一浅沟道区及其下面的阱区内；漏区，形成于所述第二浅沟道区及其下面的阱区内。