| 发明名称 |
在ITO衬底上生长ZnMgO合金薄膜的方法 |
| 摘要 |
本发明公开了一种在ITO衬底上生长ZnMgO合金薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域。该方法的步骤为：步骤1，将清洗过的ITO衬底传入MBE系统，在750－850℃下高温处理20－60分钟；步骤2，在500－700℃下，氧等离子体处理30－50分钟；步骤3，在400－500℃下生长厚度为1.5－6nm的MgO柔性层；步骤4，在700－850℃下，退火处理10－20分钟；步骤5，在500－600℃下进行外延生长ZnMgO合金薄膜。ITO代替蓝宝石和硅衬底生长高质量ZnMgO合金薄膜，生长出高质量的ZnMgO合金薄膜。优点是工艺简单、成本低，器件结构简单，有利于光电子器件的应用。 |
| 申请公布号 |
CN101350312A |
申请公布日期 |
2009.01.21 |
| 申请号 |
CN200810222662.8 |
申请日期 |
2008.09.22 |
| 申请人 |
北京交通大学 |
发明人 |
张希清;孙建;黄海琴;刘凤娟;胡佐富;赵建伟 |
| 分类号 |
H01L21/36(2006.01);H01L21/363(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/36(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1.在ITO衬底上生长ZnMgO合金薄膜的方法，其特征在于，该方法的步骤为：步骤1，将清洗过的ITO衬底传入MBE系统，在750-850℃下，高温处理20-60分钟；步骤2，在500-700℃下，氧等离子体处理30-50分钟；步骤3，在400-500℃下，生长厚度为1.5-6nm的MgO柔性层；步骤4，在700-850℃下，退火处理10-20分钟；步骤5，在500-600℃下，进行外延生长ZnMgO合金薄膜。 |
| 地址 |
100044北京市海淀区西直门外上园村3号 |
