发明名称 |
半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在具有外部连接用电极(14a)的半导体结构体(6)的下表面,形成绝缘膜(1)和上部金属层(3)及掩模金属层(4),绝缘膜(1)具有比半导体结构体(6)的平面尺寸大的平面尺寸,上部金属层(3)及掩模金属层(4)具有连接焊盘部(2a),在连接焊盘部(2a)形成有与外部连接用电极(14a)对应的第一开口部(5)。通过以掩模金属层(4)为掩模照射激光束,从而在与外部连接用电极(14a)对应的部分的绝缘膜(1)上形成第2开口部(17)。另外,形成经由绝缘膜(1)的第2开口部(17)将上部金属层(3)与外部连接用电极(14a)进行连接的连接导体(21)。 |
申请公布号 |
CN101499445B |
申请公布日期 |
2012.05.30 |
申请号 |
CN200910009626.8 |
申请日期 |
2009.01.23 |
申请人 |
兆装微股份有限公司 |
发明人 |
定别当裕康 |
分类号 |
H01L23/48(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/48(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
许玉顺;胡建新 |
主权项 |
一种半导体器件,其特征在于,包括:半导体结构体(6),具有半导体衬底(8)及在该半导体衬底(8)上设置的外部连接用电极(14a);上部金属层(3),具有连接焊盘部(2a),该连接焊盘部(2a)形成有第1开口部(5a),该第1开口部(5a)与上述半导体结构体(6)的上述外部连接用电极(14a)对应地形成;绝缘膜(1),设在上述外部连接用电极(14a)与连接焊盘部(2a)之间,具有与上述第1开口部(5)连通并到达上述外部连接用电极(14)的第2开口部(17);连接导体(21),经由上述第1开口部(5)及上述第2开口部(17),将外部连接用电极(14a)和上述上部金属层(3)进行电连接;以及掩模金属层(4),形成在上述连接导体(21)与上述上部金属层(3)之间,上述掩模金属层(4)的一个面与上述上部金属层(3)接触,上述掩模金属层(4)的另一个面与上述连接导体(21)接触,上述连接导体(21)从上述上部金属层(3)突出。 |
地址 |
日本东京都 |