多状态非易失性存储器的编程方法

摘要

在非易失性存储器中，适应性设定编程验证的启动以便减少编程时间。在一个方法中，基于下部页数据将非易失性存储元件编程以具有落在第一电压阈值(VTH)分布或较高的中间VTH分布内的VTH。随后，具有所述第一VTH分布的非易失性存储元件保持处于此分布或者基于上部页数据而编程为第二VTH分布。具有所述中间VTH分布的非易失性存储元件编程为第三和第四VTH分布。对编程为所述第三VTH分布的非易失性存储元件进行特定识别与跟踪。在所识别非易失性存储元件中的一个元件从所述中间VTH分布转变为所述第三VTH分布之后，启动对编程为所述第四VTH分布的非易失性存储元件的验证。

主权项

一种用于对非易失性存储进行编程的方法，其包括：在一组非易失性存储元件中，将具有落在第一阈值电压分布内的相应阈值电压的第一和第二子组非易失性存储元件编程，以使得所述第一子组非易失性存储元件的至少第一非易失性存储元件的阈值电压转变为与所述第一阈值电压分布重叠的第二阈值电压分布，且所述第二子组非易失性存储元件的至少第二非易失性存储元件的阈值电压转变为在所述第一和第二电压分布以外的第三阈值电压分布；跟踪所述至少第一非易失性存储元件的所述阈值电压，以确定其已在何时转变为所述第二阈值电压分布；以及响应于所述跟踪，确定何时启动验证过程来验证所述至少第二非易失性存储元件的所述阈值电压已转变为所述第三阈值电压分布；其中在确定所述至少第一非易失性存储元件的所述阈值电压已转变为所述第二阈值电压分布后，在已将预定数目的电压脉冲施加于所述至少第二非易失性存储元件后启动所述验证过程。