| 发明名称 | 晶片的干燥方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种晶片的干燥方法，包括步骤：将晶片放置在片架上；将所述片架置于干燥器水槽内的去离子水中；向所述干燥器内通入氮气；提升所述片架；当所述片架提升至所述晶片完全露出水面后，保持片架静止，并且继续通氮气；然后停止通入氮气，取出片架。本发明的晶片干燥方法在保持较好的晶片干燥效果的前提下，避免了热IPA蒸汽对晶片表面的光刻胶图形的损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN101329134B | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN200710042136.9 | 申请日期 | 2007.06.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 翟冬梅;代培刚;戚东峰 |
| 分类号 | F26B3/06(2006.01)I | 主分类号 | F26B3/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李文红 |
| 主权项 | 一种晶片的干燥方法，其特征在于，包括步骤：将表面具有光刻胶图形的晶片放置在片架上；将所述片架置于干燥器水槽内的去离子水中；向所述干燥器内通入氮气；提升所述片架；当所述片架提升至所述晶片完全露出水面后，保持片架静止，并且继续通入氮气，延长氮气与所述晶片表面的接触时间，且氮气的温度不会损伤光刻胶，能保持所述光刻胶图形的完整性，所述片架的静止时间在300至1000秒之间；停止通入氮气，取出晶片。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||