发明名称 |
层叠线圈器件 |
摘要 |
本发明提供一种开放磁路型层叠线圈器件,该层叠线圈器件可以抑制、防止在磁性层与非磁性层的界面产生裂痕、破损、剥离、和层叠体产生翘曲等,磁饱和难以发生,直流叠加特性较好。开放磁路型的层叠线圈器件(1)包括:将磁性层、非磁性层或者低磁导率层层叠而成的层叠体(11);以及配置在其内部的线圈导体(5),在构成层叠体(11)的非磁性层或者低磁导率层中含有氧化锆。低磁导率层的氧化锆的含有量为重量的0.02%以上,不到重量的1.0%。另外,在磁性层中也含有比例为不到重量的1.0%的氧化锆。磁性层由以Ni-Cu-Zn类铁氧体为主成分的材料制成,非磁性层或者低磁导率层由以Cu-Zn类铁氧体为主成分的材料制成。 |
申请公布号 |
CN101568978B |
申请公布日期 |
2012.05.23 |
申请号 |
CN200880001316.5 |
申请日期 |
2008.01.22 |
申请人 |
株式会社村田制作所 |
发明人 |
佐藤明子 |
分类号 |
H01F17/00(2006.01)I;H01F1/34(2006.01)I;H01F27/00(2006.01)I;H01F41/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01F17/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
张鑫;胡烨 |
主权项 |
一种层叠线圈器件,是开放磁路型的层叠线圈器件,具有在将磁性层和非磁性层层叠而成的层叠体的内部配置有线圈导体的结构,其特征在于,所述非磁性层含有氧化锆,所述磁性层也含有氧化锆,对所述非磁性层的氧化锆的添加量比对所述磁性层的氧化锆的添加量要多。 |
地址 |
日本京都府 |